La società cinese di semiconduttori, conosciuta con l’acronimo SMIC, condivide i dati sul perfezionamento del processo FinFET N+1 a 7nm.
SMIC – Il futuro del SoC cinese
Nel mondo dell’hardware e della produzione di transistor si è spesso sentito parlare di SMIC e dei differenti attriti avuti con TSMC. Entrambe le società cinesi hanno un grosso peso nel ramo di ricerca e produzione dei semiconduttori per la produzione di nuovi SoC. Secondo i dati diffusi da China.org.cn, SMIC ha finalizzato i test relativi a un nuovo nodo di produzione di Transistor.
Il processo prende il nome di “FinFET N+1” ed è mirato alla produzione di semiconduttori non-planari con una lunghezza media di 7nm. Stando ai dati presenti nell’articolo: FinFET N+1 è paragonabile al processo a 7nm sviluppato da TSMC. Nonostante la comparabilità con tale processo, i dati mostrano una tecnologia ancora “acerba” e lontana da produzione e commercializzazione su larga scala. Rispetto ai precedenti nodi di SMIC, focalizzati su processi a 28nm e 14nm, troviamo un netto miglioramento in termini di efficienza energetica e aumento di prestazioni. Confrontando le unità con processo FinFET N+1 con le unità a 14nm troviamo: un aumento delle prestazioni del 20%, una riduzione dei consumi energetici del 57% e una riduzione dell’area logica del 63%. Questi dati portano dunque a un SoC maggiormente efficiente e con un’area totale ridotta del 55% rispetto alle precedenti unità.
La tecnologia usata da SMIC, come quella delle altre fonderie cinesi, è però limitata dalla presenza delle restrizioni provenienti dal governo americano. Le differenti fonderie statalizzate o semi-statalizzate, vincolate al territorio cinese, non possono adoperare brevetti o tecnologie provenienti dall’America. Questo fattore comporta una pesante restrizione in quanto la ricerca cinese risulta ancora indietro. TSMC, invece, vista la posizione indipendente e gli accordi con gli USA, gode di una maggiore disponibilità in termini di brevetti e tecnologie mirate alla produzione di SoC ad alta efficienza.
Conclusioni
Il prototipo di nodo FinFET N+1 potrebbe condizionare positivamente il futuro del SoC cinese fornendo un nuovo modello produttivo per tutte le fonderie legate a tale territorio. I dati disponibili, nonostante la necessità di un processo di perfezionamento, risultano promettenti e potrebbero portare a una maggiore diversità nel settore dei SoC.
Non sono presenti dati su quanti anni saranno necessari per affinare tale processo produttivo, ma il settore Hardware è abbastanza fiducioso. Vedremo in futuro l’evoluzione del processo FinFET N+1 di SMIC e di come questo condizionerà il mercato dei semiconduttori per Smartphone e Laptop.
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